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* 空乏化電圧の計算モデル [#rd6e8fba]

ハンブルクモデルというのがあるらしい。トラペを見て作成した。

#ref(Hamburg.cc)


* リーク電流の計算モデル [#xea2809f]

ハーパーモデルというのがあるらしい。Vは電圧でなく体積です。最初は電圧と思っていたので変なコードになっている。

#ref(Harper.cc)

* Database Browser [#gc5c0597]
アクセス制限つきのデーターベースブラウザー

https://pc-sct-www01.cern.ch/CalibMonitor/

* SCT_Ntupleのページ [#z223779e]

https://twiki.cern.ch/twiki/bin/viewauth/Atlas/SctNtuple

*groupDiskからコピーしてヘッダーを取得 [#xeda1ce5]

2011年アトラス取得データは5.2fb-1となった。2010年の100倍。gridでNTUPL_SCTを探しても見つからない。CERNテープアーカイブ内にはある。最新は８月４日のものだった。lxplus407のtmpにコピー(express)して10kevent解析した、裏面にhitがないのをその面にとってquietイベントとしてNoise Occupancyをかく面ごとにとってみた。比較のために2010年のファイル(min baias)ものせる。この時は層の依存性なしに5e-5/3だったが、2011年８月には内層10e-5/3から外層30e-5/3まで変化が見える。3でわらないとオンラインの値と合わない。前後のバンチ衝突を記録しているため。ただしこれは2010年のみ。2010年ではなぜかtime bin 4が多い。2011年ではX1Xになっている。ノイズを見てるつもりなのにtime bin 3,6が多い。2011年のヒット分布にMaskしているつもりなのにバレル３に６番目のチップが鳴っている構造がある。このときtime binは７。



リーク電流が増加するなど、表面損傷の影響が見えるようだ。そうだとすると主に絶縁層への電荷蓄積との効果と考えられる。2011年までのフルーエンスはEndcap Innerで1e12p/cm2程度らしい。PINダイオードの空乏化電圧でフルーエンスは評価される。これはバルクでアクセプター濃度が増えるため。PINダイオードのドナー濃度が薄いと影響を受けやすい。これはバルク損傷と呼ばれる。


 TFile *file = TFile::Open("InDetTrackD3PD_v002.root")
 TTree *ttree=(TTree*)file->Get("InDetTrackTree")
 ttree->MakeClass("InDetTrackTree")
 
 edit InDetTrackTree.h
 #include <cstdlib> //追加　absでエラー
 using namespace std; //追加する

作成したrootファイルは以下のもの。TBrowserで一次元ヒストはみれる。hRとなっているのは比メソッド。裏面がならない時のNoiseはhとなっているもの。マップを見たい時は

 ln -s beamMaskdata11.root beamMaskOld.root
 root -l
 .x OccuMapEndcapA.C

#ref(beamMaskdata11.root)

#ref(beamMaskdata10.root)

#ref(OccuMapEndcapA.C)
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